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日時 | 7月23日 9:00-19:00 |
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講師 | 澤田和明(電気・電子工学系教授)・赤井大輔(エレクトロニクス先端融合研究所)・飛沢健(技術支援室) 他 |
対象者 | 大学卒業程度の知識を有する技術者 ※学部レベル |
定員 | 10名(定員になり次第締め切らせていただきます) |
場所 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
費用 | 250,000円(税込)/名 |
概要 | テーマ:「n-MOS 集積回路の製作と集積回路設計の基礎」-各自のSi ウエハでIC の作製と計測・評価を行う- (1)nMOS デバイスとIC の作製 リングオシレータ, 4 ビットカウンター, インバータ, D-TYPE MOSFET, E-TYPE MOSFET,C-V 特性用MOS ダイオード (2)講義【集積回路製造・設計技術の基礎】 集積回路製造技術の基礎,MOS デバイスの基礎と応用,最新の集積回路技術 |
主催 | 電気・電子情報工学系 |
共催 | 社会連携推進センター |
協賛 | (社)応用物理学会 集積化MEMS技術研究会 (社)応用物理学会 東海支部 (社)電気学会 センサ・マイクロマシン部門 (社)電子情報通信学会 電子デバイス研究会 (社)日本真空学会 東海支部 |
【申込期日】
平成30年7月6日
【申込方法】
参加申込書に必要事項を記載し、下記へメールまたはFAXにてお申込みください。
社会連携推進センター(上田・大場)
E-mail:jinzai@office.tut.ac.jp FAX:0532-44-6568
★詳細はこちら
案内チラシ(PDFダウンロード)
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